ICPCVD Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

• 반응기에 유도 플라즈마 및 기판 주위에 플라즈마를 생성할 수 있는 장치
• 액체 상태의 전구체를 기화시켜, RF Power(13.56 MHz) 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼 등 기판에 증착하거나 표면 처리, 에칭 등에 사용된다

PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

• 기판 주위에 플라즈마를 생성할 수 있는 장치
• 액체 상태의 전구체를 기화시켜 RF Power (13.56 MHz)에 의한 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼 등 기판에 증착시키는 장비

ALD Atomic Layer Deposition

• 유기물과 결합되어 액체상태의 금속 화합물을 기화시켜 가열된 기판에 원자층 크기로 증착할 수 있는 장치

Thermal Evaporation Vacuum Chamber

• 일반적으로 10^-6 Torr 의 고진공에서 열에 의해 기화된 시료를 기판에 증착하여 박막을 형성시키는 장치
• 시료를 기화시키기 위해 사용되는 boat는 녹는점이 높은 텅스텐이나 몰리브덴을 주로 사용한다

Spin Coater

• 증착하고자는 화합물 용매에 녹여 기판 위에 떨어뜨린 후 기판 회전에 의한 원심력을 이용하여 박막을 형성하는 장비

Furnace

• 시편을 열처리하는 장치
• 다양한 가스를 공급할 수 있고, 공랭방식으로 열의 상승과 하강이 느리다는 것이 특징이다

RTA Rapid Thermal Annealing

• 시편을 열처리하는 장치
• 다양한 가스를 공급할 수 있고, 할로겐 램프 사용으로 열의 상승이 빠르고 수냉방식으로 열의 하강이 빠르다는 것이 특징이다